Europa quiere ganar peso en los semiconductores que hacen posible alimentar la Inteligencia Artificial. Por ello, la Comisión Europea ha autorizado una ayuda de 319 millones de euros de Austria a Infineon, destinada a modernizar su fábrica de Villach gracias al proyecto Empowering Fab, el cual permitirá ampliar la fabricación de chips de potencia de nitruro de galio, más conocido como GaN, mediante el salto de obleas de 200 a 300 mm.
Detrás de esos dos números hay una mejora industrial importante: fabricar más chips por oblea y avanzar hacia unos costes más competitivos. Para Europa, además, supone reforzar una tecnología que tiene aplicaciones tanto en sistemas de IA como en movilidad eléctrica, energía y robótica. Porque seamos honestos, vamos tarde, necesitamos más empresas de chips y fabricantes de obleas, para obtener la misma soberanía que tenemos en escáneres litográficos.
El GaN permite alimentar los sistemas de IA con mayor eficiencia, pero necesita obleas de 300 mm en Europa por parte de Infineon
Si has comprado un cargador compacto para el móvil o el portátil, posiblemente ya te hayas encontrado con las siglas GaN. Recapitulando lo que muchas veces hemos hablado aquí para dar contexto, su ventaja está en gestionar la energía mediante componentes que pueden conmutar más rápido y ofrecer mayor densidad de potencia que las soluciones tradicionales de silicio. Esto permite desarrollar sistemas más pequeños y eficientes, pero tiene más usos.
En los servidores de IA, su función está en la conversión y gestión de la alimentación eléctrica que necesitan las CPU, las GPU y el resto de componentes. Por tanto, su aportación se encuentra en cómo llega la energía al hardware encargado de hacer los cálculos.
¿Y por qué interesa tanto? Porque las pérdidas durante esa conversión también cuentan. Reducirlas ayuda a aprovechar mejor la electricidad y a limitar el calor que genera la propia electrónica de potencia. El GaN aborda esa parte del problema energético de la IA, aunque por sí solo no resuelve el consumo de los centros de datos.
Obleas de 300 mm: alrededor de 2,3 veces más chips por unidad
El otro gran cambio está en la fabricación, pieza clave para esta inversión. Según Infineon, las obleas de 300 mm permiten obtener aproximadamente 2,3 veces más chips frente a las de 200 mm. La superficie adicional permite repartir determinados costes de fabricación entre más unidades, con el objetivo de acercar progresivamente el coste del GaN al de soluciones comparables de silicio.
Infineon ya había presentado su tecnología GaN de 300 mm en 2024 y ya el año pasado recibió una ayuda de 920 millones para su FAB. La novedad ahora es el respaldo público para ampliar su fabricación industrial en Villach, donde dispone de capacidades de GaN de 200 mm. La Comisión considera que el proyecto será pionero dentro de la UE, y por supuesto, es más que necesario.
Los 319 millones llegarán mediante una subvención directa austriaca, donde Bruselas sostiene que, sin ese apoyo, la inversión no se llevaría a cabo en Europa.
Infineon también asumirá compromisos de colaboración con pequeñas empresas, universidades y centros de investigación, además de formación de trabajadores y un mecanismo para compartir con Austria beneficios del proyecto que superen las previsiones. Dicho todo, la apuesta europea busca así que la inversión también fortalezca a los proveedores y al conocimiento industrial que rodean a la fábrica.
¿Puede Infineon con la ayuda de Europa lograr a tiempo las obleas GaN de 300 mm? ¿Cuándo vamos a crear gigantes tecnológicos como ASML para el diseño de chips a la altura de Intel, AMD, Qualcomm o NVIDIA? Vamos tarde, esperemos que al menos, cuando lleguemos, lo hagamos bien.
