Hoy conocemos que Intel está dispuesta a comenzar a pagar bonificaciones a sus empleados a cambio de acelerar las obras de su gigantesco complejo de fabricación de semiconductores en Ohio. En concreto, hablamos de unas bonificaciones especiales para los trabajadores que realicen horas extraordinarias. Una filtración difundida desde el proyecto indica que estos incentivos se han aplicado de forma inmediata para que cualquiera pueda acogerse a ella y ayudar a reducir los plazos de construcción.
El movimiento coincide con las últimas buenas noticias ligadas a su fundición Intel Foundry. Además del avance de las fábricas estadounidenses, la compañía estaría logrando rendimientos cercanos al 90% durante la validación de su tecnología de encapsulado avanzado EMIB-T, diseñada para competir con soluciones como CoWoS-L de TSMC. Sin embargo, alcanzar ese porcentaje no significa que la plataforma esté preparada todavía para producirse masivamente: los sustratos continúan siendo el principal cuello de botella.
Intel acelera la construcción Ohio One, pero la producción aún tardará unos años en completarse
Para tener un contexto, el Ohio One es uno de los proyectos industriales más importantes de Intel y de toda la industria estadounidense de semiconductores. El complejo ocupa aproximadamente 405 hectáreas, unos cuatro kilómetros cuadrados. La inversión anunciada supera los 28.000 millones de dólares y contempla inicialmente dos grandes módulos de fabricación, aunque el terreno permitiría ampliar considerablemente el campus en el futuro.
La primera fábrica, conocida internamente como Mod 1, debería terminar de construirse en 2030 y comenzar sus operaciones entre 2030 y 2031. El segundo módulo finalizaría en 2031 y entraría en funcionamiento durante 2032. Estas fechas representan un enorme retraso respecto al plan original de Intel, que cuando anunció el proyecto en 2022 esperaba iniciar la producción de chips en Ohio alrededor de 2025.
Intel había reducido deliberadamente el ritmo de construcción para controlar mejor sus inversiones y adaptar la capacidad futura a la demanda de sus clientes. No obstante, la empresa dejó abierta la posibilidad de volver a acelerar las obras si el mercado lo justificaba. Con el auge de la IA, está más que justificado no solo ahora reanudar la producción a marchas forzadas, sino incluso pagar buenas bonificaciones para intentar acortar los plazos de construcción semanas, o meses, en el mejor de los casos.
EMIB-T alcanza cerca del 90% de rendimiento, pero el sustrato sigue fallando demasiado
EMIB-T es una evolución del sistema Embedded Multi-die Interconnect Bridge de Intel. En lugar de utilizar un enorme interposer de silicio bajo todos los chips, introduce pequeños puentes de silicio dentro del sustrato orgánico para conectar chiplets, memoria HBM y otros componentes con una elevada densidad de interconexión. La variante EMIB-T añade vías TSV que atraviesan verticalmente esos puentes, mejorando el suministro eléctrico y permitiendo configuraciones más complejas de apilamiento tridimensional.
Según las estimaciones divulgadas por el conocido analista Ming-Chi Kuo, el rendimiento obtenido durante la validación tecnológica se situaría alrededor del 90%. Es un resultado prometedor, pero todavía inferior al nivel cercano al 98% que normalmente se pretende alcanzar para una producción de gran volumen económicamente competitiva. Pasar de un rendimiento del 90 al 98% es especialmente complicado. Con un 90%, uno de cada diez encapsulados fabricados tendría que descartarse, mientras que al 98% la proporción bajaría a uno de cada cincuenta.
El problema más serio estaría en los sustratos uitlizados para integrar los puentes de silicio, cuyo rendimiento se mantendría alrededor del 50%. Fabricantes como Ibiden, Shinko, Unimicron y AT&S trabajan en estos componentes, pero la plataforma continúa en una fase temprana de industrialización. Unimicron estima que EMIB-T no llegará a una verdadera producción masiva hasta el año 2027, por lo que Intel todavía tendrá que mejorar notablemente sus rendimientos antes de poder plantearse una alternativa comercial a gran escala frente a CoWoS de TSMC.
